原標題：張家港高新區：發展半導體産業 打造“中國芯”

　　來自全國半導體行業的300多位專家、學者近日齊聚蘇州張家港，舉行第三代半導體産業技術創新發展大會。此次大會圍繞第三代半導體發展趨勢、創新戰略、技術應用、投資分析等主題進行了深入交流，幹勇院士、鄭有炓院士、劉明院士等行業專家學者分別作了大會發言。

　　第三代半導體材料是近年來迅速發展起來的新型半導體材料，正在成為全球半導體産業新的戰略高地。張家港高新區把化合物半導體作為“一區一戰略”産業，以“一平臺兩基地”為重點，全力打造“化合物半導體世界之都”。

　　眼下，張家港高新區著力打造全球領先的化合物半導體協同創新平臺，建有創新孵化器張家港納米産業園、科技企業加速器華夏科技園。與中科院蘇州納米所共建張家港納米研究院，與中科院上海微系統所共建張家港市積體電路産業促進中心。

　　同時，張家港高新區著力打造全球最大的半導體照明（LED）産業基地。在産業鏈關鍵環節，佈局了一大批國際國內領軍企業，半導體照明全産業鏈優勢愈發凸顯。

　　張家港高新區還著力打造全球知名的化合物半導體和積體電路産業基地，已集聚相關企業20余家，建有全國第一條完整的氮化鎵外延及工藝生産線，第一條8英寸氮化鎵晶片生産線。目前，張家港高新區已形成化合物半導體設計—製備—封測—集成的完善産業鏈條，正在爭創“國家火炬化合物半導體特色産業基地”。