4日，在位於武漢東湖高新區的長江存儲科技有限責任公司(國家記憶體基地)，紫光集團聯席總裁刁石京透露，中國首批擁有自主知識産權的32層三維NAND快閃記憶體晶片將於今年第四季度在此實現量産。

資料圖：民眾在展會上了解參展商展示的晶片。 中新社記者 張斌 攝

據悉，長江存儲于2017年成功研發中國首顆32層三維NAND快閃記憶體晶片，並獲得中國電子信息博覽會(CITE2018)金獎。

這顆晶片，耗資10億美元，由1000人團隊歷時2年自主研發，是中國主流晶片中研發製造水準最接近世界一流的高端存儲晶片，實現了中國存儲晶片“零”的突破。

刁石京介紹，目前，晶片生産設備正在進行安裝調試，今年第四季度，32層三維快閃記憶體晶片將在一號晶片生産廠房進行量産。此外，64層三維快閃記憶體晶片研發也在緊鑼密鼓地進行，計劃2019年實現量産。

刁石京表示，中國晶片技術落後於世界，但自主研發的腳步始終沒有停止，兩代晶片實現量産後將縮短與美國、日本、韓國等國家在存儲晶片上的差距。

據悉，長江存儲由紫光集團聯合國家積體電路産業投資基金、湖北積體電路産業投資基金、湖北省科技投資集團共同投資建設，負責國家記憶體基地項目。

根據規劃，至2023年，基地産能將達到每月30萬片，並形成設計、測試、封裝、製造、應用等上下游集群。（中新社武漢8月4日電  記者 張芹)