原標題：五十億元高科技晶片項目在大足開工 達産後可實現年産值百億元以上

　　11月13日，聚力成半導體（重慶）有限公司奠基儀式在大足高新區舉行，該項目以研發、生産全球半導體領域前沿的氮化鎵外延片、晶片為主。這項擬投資50億元的高科技晶片項目，有望突破我國第三代半導體器件在關鍵材料和製作技術方面的瓶頸，形成自主製造能力。

　　聚力成半導體項目佔地500畝，擬投資50億元，將在大足打造集氮化鎵外延片製造、晶元製造、晶片設計、封裝、測試、産品應用設計于一體的全産業鏈基地。項目建成達産後可實現年産值100億元以上，解決就業崗位2500個。此外，該企業還在大足建設中國區總部、科研及高管配套項目等。

　　據業內人士介紹，第一代半導體材料以硅和鍺為代表，第二代半導體材料以砷化鎵和磷化銦為代表。近年來，以碳化矽和氮化鎵為代表的第三代半導體材料成為全球半導體研究的前沿和熱點。因具備禁頻寬度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優越性能，第三代半導體材料已成為固態光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在諸多領域有廣闊的應用前景。

　　目前，全球擁有氮化鎵全産業鏈的僅有德國、日本、美國等國少數幾家企業。我國在第三代半導體器件的研發方面起步並不算晚，但因為在關鍵材料和關鍵製作技術方面沒有取得較好的突破，國內一直沒有形成自己的製造能力。

　　聚力成公司在大足建設的基地，是其在中國大陸的第一個生産、研發基地，將有望打破上述局面。該項目建成後，可為高鐵、新能源汽車、5G通訊、雷達、機器人等行業的電力控制系統和通訊系統的核心部件提供大量的氮化鎵高功率半導體和高射頻半導部件。

　　該項目前期由市臺辦搭橋引薦，得到了市經信委、市商務委、臺商協會等部門的大力助推，經雙方多輪磋商及長達數月的調研、專家論證，企業引入中國國際金融有限公司作為資方，於今年9月與大足區成功簽約。目前，該項目運營公司聚力成半導體（重慶）有限公司核心成員已陸續入駐。

　　自簽約以來，大足區與企業雙方精誠合作，僅用65天就實現開工。聚力成半導體基地的建設，將對大足乃至重慶實施以大數據智慧化為引領的創新驅動發展戰略行動計劃，加快佈局電子信息、積體電路等新興産業，具有重要示範引領作用。 （記者 王亞同）