1月2日，正在建設中的國家記憶體基地雛形初現。位於武漢光谷的該基地繼成功研發中國首顆32層三維快閃記憶體晶片後，另一項技術取得新突破，為三維快閃記憶體帶來前所未有的I/O高性能、更高的存儲密度，以及更短的産品上市週期。國家記憶體基地以晶片製造環節為突破口，集記憶體産品設計、技術研發、晶圓生産與測試、銷售于一體，全部建成後將填補我國主流記憶體領域空白，為實現産業和經濟跨越發展提供重要支撐。（湖北日報全媒記者 梅濤 攝）