比亞迪發佈IGBT“中國芯” 2019年或再亮“殺手锏”

　　相比當前市場主流産品，比亞迪IGBT4.0在電動車電流輸出能力上高出15%；而其綜合損耗，在同等工況下則降低約20%；溫度循環壽命更是提升10倍以上。以比亞迪全新一代唐為例，僅綜合損耗降低20%這一項，便意味著其百公里電耗將降低約3%。

　　在發佈會現場，比亞迪同時宣佈，已投入鉅資佈局性能更加優異的第三代半導體材料SiC（碳化矽），並已成功研發SiC MOSFET（汽車功率半導體包括基於硅或碳化矽等材料打造的IGBT或 MOSFET等），有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。

　　“目前，國際上符合新能源汽車高效、高可靠性的IGBT産品，在中國除了以比亞迪為代表的車企，就主要集中在歐洲和日本”，比亞迪第六事業部兼太陽能事業部總經理陳剛自豪地説道，“隨著具有自主知識産權的IGBT産品的量産、大批量供應，中國已經可以和歐洲、日本三分天下。”

　　發佈會現場

　　昨日（12月10日），比亞迪在寧波正式發佈其全新車規級“IGBT4.0”技術。相比當前市場主流産品，比亞迪IGBT4.0技術在晶片損耗、模組溫度循環能力、電流輸出能力等關鍵指標上均是處於領先地位。

　　在電動車電流輸出能力上，比亞迪IGBT4.0高出市場主流産品15%；而其綜合損耗，在同等工況下則降低約20%；溫度循環壽命更是提升10倍以上。以比亞迪全新一代唐為例，僅綜合損耗降低20%這一項，便意味著其百公里電耗將降低約3%。

　　IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱“絕緣柵雙極型電晶體”，是一種大功率的電力電子器件，主要用於變頻器逆變和其他逆變電路，將直流電壓逆變成頻率可調的交流電，被稱之為電力電子裝置的“CPU”。作為電動車電控技術中的核心零部件，IGBT主要被用於控制車輛驅動系統直、交流電的轉換，直接決定了扭矩、最大輸出功率等影響車輛性能的關鍵性指標。

　　比亞迪IGBT4.0晶圓（硅半導體積體電路製作所用的硅晶片）

　　IGBT技術，由於設計門檻高、製造技術難、投資大，在過去相當長的時間裏，其核心技術始終掌握在英飛淩、三菱等國際“巨頭”手中，佔據著中高端IGBT市場90%的份額，導致“一芯難求”，成為制約我國電動車行業健康、快速發展的主要瓶頸之一。

　　對此，比亞迪于2003年便開始籌劃佈局IGBT産業，並於2005年組建研發團隊，正式進軍這一領域。2009年9月，比亞迪IGBT晶片成功通過中國電器工業協會電力電子分會組織的科技成果鑒定，標誌著中國在IGBT晶片技術上實現零的突破，打破了國際巨頭的技術壟斷。

　　目前，比亞迪已經陸續掌握IGBT晶片設計和製造、模組設計和製造、大功率器件測試應用平臺、電源及電控等環節，成為“中國唯一一家擁有IGBT完整産業鏈的車企”。

　　比亞迪IGBT晶片通過中國電器工業協會電力電子分會組織的科技成果鑒定

　　也正是得益於IGBT等技術的不斷突破，比亞迪在新能源領域獲得了持續領先。從2015到2017年，比亞迪電動車銷量已經“連續三年位居全球第一”。在剛剛過去的11月份，比亞迪共銷售新能源乘用車28793輛；1-11月，其累計銷量已達到190142輛。

　　當然，比亞迪並未就此止步，而是將目光投向了更遠的未來。在發佈會現場，比亞迪同時宣佈，已投入鉅資佈局性能更加優異的第三代半導體材料SiC（碳化矽），並已成功研發SiC MOSFET（汽車功率半導體包括基於硅或碳化矽等材料打造的IGBT或 MOSFET等），有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。

　　第三代半導體材料SiC

　　在比亞迪看來，隨著電動車性能不斷提升，對功率半導體組件提出了更高的要求，當下的IGBT也將逼近硅材料的性能極限。尋求晶片損耗更低、電流輸出能力更強、更耐高溫的全新半導體材料，已成為學界和業界的普遍共識。

　　比亞迪SiC晶圓

　　預計到2023年，比亞迪將在旗下的電動車中，實現SiC基車用功率半導體對硅基IGBT的全面替代，將整車性能在現有基礎上再提升10%。陳剛表示：“SiC MOSFET將成為比亞迪電動車性能持續迭代更新的新一代‘殺手锏’，我們期望在加速、續航等性能指標上，為廣大消費者帶來更多驚喜。”（經濟日報-中國經濟網 記者郭濤）