首片國産6英寸碳化矽MOSFET晶圓誕生

2018-05-10 08:53:10|來源:文匯報|編輯:彭麗 |責編:劉徵宇

  原標題:首片國産6英寸碳化矽MOSFET晶圓在滬誕生 將為電力電子晶片産品的升級提供核心保證

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記者昨天從臨港科技城獲悉,第一片國産6英寸碳化矽(SiC) MOSFET晶圓日前在該園區企業上海瞻芯電子科技有限公司誕生。

  單晶碳化矽是一種新穎的半導體材料,具有高禁頻寬度、高擊穿場強和高熱導率等優良特性,成為製作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導體材料。由於它製成的MOSFET (金屬氧化物場效應電晶體)器件,開關速度數倍于傳統硅基産品,因此用它開發出的電動車電控系統重量可減輕約三分之二,體積可縮小80%。

  近年來,隨著6英寸碳化矽晶圓在國際上的大規模投産,綠色節能的碳化矽半導體産業鏈正在逐步形成中。“它能為電力電子晶片産品的升級提供核心保證。”瞻芯電子的相關負責人介紹,這種晶片將推進混合和純電動汽車、太陽能光伏、風力發電、高鐵及軌道交通、智慧電網、智慧家電以及航空航天等産業發生革命性的改變。

  該公司去年7月在上海臨港科技城正式註冊成立,在不到一年時間裏,完成了晶片設計,並成功地在一條成熟量産的6英寸工藝生産線上,完成了碳化矽(SiC) MOSFET的製造流程。晶圓級測試結果表明,各項電學參數達到預期。

  目前,國內相關行業龍頭企業比亞迪、陽光電源和華為等都已經在旗艦産品系列中廣泛使用了碳化矽MOSFET。國際上,歐洲的350千瓦超級充電站已經採用了此類模組産品;新一代新能源車裏的雙向車載充電器以及高性能電驅動單元,也成為此類器件應用的絕佳場所。

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