長江存儲發佈的全球首款128層QLC快閃記憶體晶片。（長江存儲供圖）

　　4月13日，長江存儲最新128層QLC 3D NAND快閃記憶體晶片“X2-6070”，宣佈在武漢光谷研發成功，這是全球首款128層QLC快閃記憶體。目前，該快閃記憶體已通過多家知名控制器企業在固態硬碟等終端存儲産品上的驗證，有望2020年下半年或2021年上半年量産。

　　長江存儲直接越過了96層技術，從64層晶片直攻128層，“彎道超車”，技術跨度巨大，引發業內極大關注。

　　3D NAND即三維快閃記憶體技術。過去，人們用到的存儲晶片是平面的，類似地面停車場，而三維快閃記憶體晶片是立體的，如同立體停車場。同樣的“佔地面積”，立體晶片能夠容納多倍數據量。

　　儘管這枚存儲晶片僅指甲蓋大小，卻內藏乾坤，擁有3665億個“細胞”——存儲單元。QLC是繼TLC後，三維快閃記憶體新的技術形態，具有大容量、高密度等特點，適合於讀密集型應用。TLC的每個“存儲細胞”可存3bit數據，而QLC的每個“存儲細胞”能存4bit數據。這些“存儲細胞”加起來，能讓一枚晶片的存儲容量達到驚人的1.33Tb，相當於1362Gb。

　　得益於“存儲細胞”的不斷擴容，以及這些“細胞”之間獨特的Xtacking架構佈局，此次領先業界發佈的128層快閃記憶體晶片，擁有業界最高的存儲密度、傳輸速度和單顆快閃記憶體晶片容量。

　　2018年底，長江存儲第一代32層三維快閃記憶體晶片量産。2019年9月，首次基於Xtacking架構的64層三維快閃記憶體晶片量産。隨著自主Xtacking架構全面升級至2.0，進一步釋放了三維快閃記憶體的潛能，128層QLC快閃記憶體晶片得以快速突破。

　　“從64層晶片量産至128層晶片問世，僅用7個月，還有一半時間是在疫情之中。”長江存儲首席執行官楊士寧表示，作為快閃記憶體行業的新進入者，長江存儲僅用3年時間，就將中國三維存儲晶片推向了128層的高度。“這是數千名研發人員汗水的凝聚，也是全産業上下游通力協作的成果。”

　　長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊表示，長江存儲以32層技術切入時，與主要競爭對手存在四五年的差距。64層技術突破後，差距縮短至兩年。128層晶片的問世，已可與3D NAND國際大廠比肩。

　　據介紹，該快閃記憶體將率先在大容量U盤、快閃記憶體卡和固態硬碟中普及，並廣泛用於AI計算、機器學習、實時分析和大數據讀取等領域。（湖北日報記者李墨、通訊員華健）