據湖北省科技廳消息，近日，九峰山實驗室在超寬禁帶半導體領域取得重大進展，成功研製出基於國産同質外延片的擊穿電壓超過9000伏的氧化鎵橫向MOSFET。這一成果標誌著實驗室在超高壓氧化鎵功率器件技術領域達到國際先進水準。
氧化鎵被公認為下一代高壓功率器件的理想材料。然而，受限于材料與工藝，此前公開的氧化鎵MOSFET擊穿電壓多數低於4000伏。本次九峰山實驗室團隊通過雙層源場板結構設計，有效調製器件內部電場分佈，成功實現9.02千伏的擊穿電壓，在超高壓電力電子領域展現出巨大應用潛力。
目前，九峰山實驗室已具備氧化鎵器件研發與流片能力，對外提供氧化鎵襯底與外延片、氧化鎵科研級單管銷售，以及器件流片服務。（文 姜勝來）
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