6月4日，武漢新芯積體電路製造有限公司透露，其自主研發的50納米浮柵式代碼型快閃記憶體（SPI NOR Flash）晶片已全線量産。

　　目前，在全球NOR Flash存儲晶片領域，業界通用技術為65納米。武漢新芯新一代50納米技術，已逼近此類晶片的物理極限，無論是存儲單元面積還是存儲密度，均達到國際先進水準。

　　據了解，武漢新芯50納米快閃記憶體技術于2019年12月取得突破，隨後投入量産準備。從65納米到50納米的躍升，武漢新芯用了18個月。

　　Flash指非易失性存儲介質。此次量産産品為寬電源電壓産品系列XM25QWxxC，容量覆蓋16兆到256兆。性能測試顯示，在1.65伏至3.6伏電壓範圍內，該系列NOR Flash存儲晶片的工作頻率可達133兆赫，即使在零下40℃或105℃這種極端溫度下，依然不會停止“芯跳”。其無障礙重復擦寫可達10萬次，數據保存時間長達20年。

　　研發人員介紹，作為NOR Flash存儲晶片中的“閃電俠”，該晶片在連續讀取模式下，能實現高效的記憶體訪問，僅需8個時鐘的指令週期，即可讀取24位地址。不僅如此，它還可使可攜式設備的電池壽命延長1.5倍以上，令用戶通過寬電壓功能實現更好的庫存管理。

　　“對此次研發而言，最難的挑戰是速度、功耗和可靠性。”武漢新芯運營中心副總裁孫鵬説，隨著50納米NOR快閃記憶體的重大突破，武漢新芯將在性能和成本上進一步提高競爭力，針對快速發展的物聯網和5G市場，持續研發自有品牌的快閃記憶體産品，不斷拓展産品線。

　　近期，武漢新芯與業內領先的物聯網核心晶片和解決方案平臺樂鑫科技達成長期戰略合作，雙方將圍繞物聯網應用市場，在物聯網、記憶體晶片與應用方案開發上展開闔作。樂鑫科技CEO張瑞安表示，武漢新芯NOR Flash存儲晶片，支持低功耗、寬電壓工作，能滿足該平臺全係物聯網晶片、智慧家居及工業模組的應用要求。

　　武漢新芯成立於2006年，專注于NOR Flash存儲晶片的研發製造，並以全球領先的半導體三維集成製造技術，在圖像感測器、射頻晶片、DRAM記憶體等産品上，不斷實現性能和架構突破。（湖北日報記者李墨、通訊員華健）