近日，西安紫光國芯半導體股份有限公司（以下簡稱“西安紫光國芯”）在VLSI 2023技術與電路研討會上（2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits）公開發表了技術論文——《基於小間距混合鍵合和mini-TSV的135GBps/Gbit 0.66 pJ/bit 嵌入式多層陣列 DRAM》（135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit Stacked Embedded DRAM with Multilayer Arrays by Fine Pitch Hybrid Bonding and Mini-TSV），發佈了新一代多層陣列SeDRAM®技術。該技術的發表是西安紫光國芯在SeDRAM方向上持續創新的最新突破。
本年度 VLSI 會議共收到全球投稿 632 篇，在最終錄取的212 篇中，僅有2篇來自中國內地企業，其中1篇便是來自西安紫光國芯的嵌入式多層陣列DRAM論文。
論文第一作者西安紫光國芯副總裁王嵩代表公司作論文報告
本次VLSI 2023上，西安紫光國芯發佈的新一代多層陣列SeDRAM，相較于上一代單層陣列結構，新一代技術平臺主要採用了低溫混合鍵合技術（Hybrid Bonding，HB）和mini-TSV堆積技術。該技術平臺每Gbit由2048個數據介面組成，每個介面數據速度達541Mbps，最終實現業界領先的135GBps/Gbit 頻寬和0.66 pJ/bit 能效，為疊加更多層 DRAM 陣列結構提供先進有效的解決方案。
嵌入式多層陣列SeDRAM示意圖
論文通訊作者西安紫光國芯總經理江喜平表示：“2020年IEDM我們發佈了第一代SeDRAM技術，之後我們實現了多款産品的大規模量産。這次發佈的新一代多層陣列SeDRAM技術，實現了更小的電容電阻、更大的頻寬和容量，可廣泛應用於近存計算、大數據處理和高性能計算等領域。”
西安紫光國芯異質集成嵌入式DRAM（SeDRAM）基於混合鍵合技術實現了邏輯單元和 DRAM陣列三維集成，多項研發成果已先後在IEDM 2020、CICC 2021、ISSCC 2022等多個期刊和會議上公開發表和作專題報告。（西安高新區）
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