原標題：【轉型為綱 項目為王改革為要 創新為上】碳化矽：帶動山西半導體産業集群發展

　　“你看咱們身邊這一排排3米高的大白箱子，就是‘TDS碳化矽單晶生長設備’，別看它表面很平靜，裏面2300℃以上的高溫中，正在進行著驚人的化學反應——生長形成碳化矽晶錠。”

　　3月13日，在山西轉型綜改示範區瀟河産業園區太原起步區（北區）的粉料合成及單晶生長車間，與記者一同穿梭于TDS碳化矽單晶生長設備之間的山西爍科晶體有限公司設備部經理周立平，邊走邊講解碳化矽的複雜生長過程。

　　隨著項目投産一批、開工一批、簽約一批的“三個一批”活動近日在山西轉型綜改示範區舉行，我省再次吹響抓項目、促轉型的號角。2月28日剛剛投産的山西爍科晶體有限公司中國電科（山西）碳化矽材料産業基地項目（一期）就是這次“三個一批”中開工投産項目之一。

　　碳化矽是全球最先進的第三代半導體材料，具有耐高壓、高頻、大功率等優良的物理特性，是衛星通信、高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通信基站等重要領域的核心材料，尤其是在航天、軍工、核能等極端環境應用領域裏有著不可替代的優勢。

　　“打個比方，5G之所以傳輸速度快，正因為它擁有一顆足夠強大的5G晶片心臟，碳化矽晶片就是5G晶片最理想的襯底。”周立平舉例。

　　據了解，碳化矽單晶的製備一直是全球性難題，而高穩定性的晶體生長工藝則是其中最核心的技術。此前，這項技術只掌握在美國人手裏，近幾年，山西爍科晶體有限公司經過反復鑽研攻關，最終完全掌握了這項技術，實現了高純度碳化矽單晶的商業化量産。“現在，除了設備的研發和生産是我們自己在做，連碳化矽的生長原料——碳化矽粉末，都是我們自己生産的，不依賴別人，就有更大自主權。”周立平自豪地向記者繼續介紹，“這些原料粉末，在TDS碳化矽單晶生長設備內以PVT昇華法，經過長達7至10天的高溫密閉昇華，結晶到籽晶上，最終形成晶錠。這個漫長的過程，就是核心技術所在。”

　　一塊成品碳化矽晶錠，會被切割成20片500微米厚的碳化矽晶片，也就是該公司最終産品成品，平均每片的售價達1萬元。

　　“我們碳化矽基地一期共有300台設備，單月産值就能突破1億元，項目全部建成後將成為國內最大的碳化矽材料供應基地，而這個1000畝的産業園將串聯起山西轉型綜改示範區上下游十多個産業，帶動山西半導體産業集群迅速發展，實現中國碳化矽的完全自主供應。”山西爍科晶體有限公司總經理李斌信心滿滿地説。

    （山西日報記者 杜鵑）