我國首批三維NAND快閃記憶體晶片年內量産

　　原標題：中國芯,湖北造!我國首批三維NAND快閃記憶體晶片年內量産

　　湖北日報訊（記者李源、通訊員張珊妮、吳非）我國擁有自主知識産權的三維NAND快閃記憶體晶片距離批量生産又進一步。4月11日上午，由紫光集團聯合國家積體電路産業投資基金、湖北積體電路産業投資基金、湖北科投共同投資建設的國家記憶體基地項目，首套晶片生産機臺進場安裝。這標誌著國家記憶體基地從廠房建設階段進入生産準備階段。年內，32層三維NAND快閃記憶體晶片將在中國光谷實現量産。

　　作為電子産品的製造大國和消費大國，中國通用記憶體需求佔全球産能的50%。三維NAND快閃記憶體晶片多用於手機、高性能伺服器，目前全部依賴進口，市場話語權被三星、東芝、鎂光等美、日、韓企業把控。紫光集團董事長趙偉國説，國家記憶體基地項目是中國積體電路快閃記憶體晶片産業規模化發展“零”的突破，更是打破西方國家壟斷的重要抓手。未來10年，紫光集團至少將投資1000億美元，推進相關産業發展。

　　長江存儲執行董事長高啟全介紹，接下來2到3個月內，近3000套生産機臺將陸續進場安裝調試，7月底8月初具備試生産條件，年內預計可生産出5000片32層三維NAND快閃記憶體晶片。2019年，32層三維NAND快閃記憶體晶片産量將提升至每年10萬片，2018年底試産64層三維NAND快閃記憶體晶片。2020年，64層三維NAND快閃記憶體晶片産能將提升至每年10萬片，並研發具有全球先進水準的128層三維NAND快閃記憶體晶片。

　　武漢市市長萬勇表示，國家記憶體基地機臺搬入，是“中國芯”的一大步，也是“新武漢造”的一大步。期待“中國芯”在全球市場反響良好，期待基地第二、第三工廠儘早開工建設。

　　國家記憶體基地項目2016年3月正式啟動，分三期建設。至2020年，三期全部完工後，基地産能將達到每月30萬片，年産值超過100億美元，形成設計、測試、封裝、製造、應用等上下游集群。