中國首款64層三維快閃記憶體晶片光谷量産

　　9月2日，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣佈，公司已開始量産基於Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND快閃記憶體晶片，以滿足固態硬碟、嵌入式存儲等主流市場應用需求。

　　據悉，這是我國自主研發生産的首款64層3D NAND快閃記憶體晶片，也是全球首款基於Xtacking架構設計並實現量産的快閃記憶體産品，擁有同代産品中最高的存儲密度。

　　3D NAND即三維快閃記憶體技術。過去，人們用到的存儲晶片是平面的，相當於地面停車場，而三維快閃記憶體晶片是立體的，就像是立體停車場。同樣的“佔地面積”之下，立體晶片能夠容納更多倍數據量。

　　2018年底，長江存儲第一代32層三維快閃記憶體産品量産。32層晶片在微觀世界裏就像是一棟32層的樓房，如果換算成一棟樓裏的“房間”，足足有640億個“房間”之多。如今64層晶片“大樓”，可以容納的“數據房間”或將以幾何級數增長。

　　Xtacking架構是長江存儲自主研發的一種突破性3D快閃記憶體架構。它看上去就像一個由無數根羅馬柱支撐起的宮殿，能夠在兩片獨立的晶圓（指硅半導體積體電路製作所用的硅晶片）上，分別加工週邊電路和存儲單元。當兩片晶圓各自完工後，Xtacking技術只需一個處理步驟，就可通過數十億根垂直互聯通道，將兩片晶圓鍵合。

　　長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示，相比傳統3D NAND快閃記憶體架構，Xtacking可帶來更快的傳輸速度、更高的存儲密度。該架構引入批量生産後，能顯著提升産品性能，縮短開發週期和生産製造週期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發展。

　　多年來，三星、鎂光、SK海力士和東芝等幾家國際大廠，幾乎壟斷了全球的NAND Flash存儲晶片市場供應，其中三星多年位居龍頭，而中國在該産業領域幾近空白。“此次量産，標誌著長江存儲已成功走出了一條高端晶片設計製造的創新之路。”他説，隨著5G、人工智能和超大規模數據中心時代的到來，快閃記憶體市場的需求將持續增長。長江存儲64層3D NAND快閃記憶體産品的量産，將為全球記憶體市場健康發展注入新動力。

　　長江記憶體基地于2016年12月啟動建設，標誌著中國積體電路存儲晶片産業，在規模化發展上實現了“零”的突破。

　　短短兩年間，記憶體基地一號晶片生産廠房封頂、國內首顆自主研發32層三維快閃記憶體晶片研發問世、晶片生産機臺安裝調試、首臺光刻機進廠調試，一座晶片之城磅薄崛起。

　　圍繞“一芯驅動”佈局，未來幾年，光谷將以科技創新大走廊為創新橫軸，豹子溪生態廊道為生態縱軸，打造世界級“黃金十字軸”。這條大走廊，還將串起3條新千億大道，並覆蓋積體電路與新型顯示、光電子信息、生物醫藥等一系列戰略性新興産業集聚帶。（湖北日報記者李墨、實習生於鑫益）