10月15日，以“Everest巔峰之上·跨越四年的技術長征”為主題的長飛先進技術發佈會在深圳召開。會上，長飛先進面向車規主驅市場正式發佈了自主研發的高性能SiC　MOSFET系列晶片及DeepXE™嵌入式PCB功率模組，並針對AI數據中心領域發佈了其基於成熟量産晶片PG4E的單管系列及EZ2C/3C特色模組家族，用先進的碳化矽技術重新定義能源效率邊界。

　　長飛先進總裁陳重國表示，“近期來看，新能源汽車的爆發是核心推動力，可能三到五年之後，AI會成為下一個巨大的應用增長點，所以短期看汽車，長期看AI，是兩大核心驅動力。”基於對産業趨勢的判斷，本次發佈會的新品也重點圍繞兩大賽道落地。

　　本次重磅發佈的長飛先進高性能SiC MOSFET系列晶片，正是佈局汽車賽道的核心載體。該産品性能卓越，擁有豐富的産品矩陣及成本優勢，能匹配更多性能要求。産品Rsp低至1.7-2.2mΩ.cm2²，主要適配700V、800V、900V高壓系統，短路耐受時間SCWT&短路能量ESC達業內先進水準，同時通過了AEC-Q101標準下全套可靠性測試及強化壽命&環境試驗條件3000h驗證。

　　與此同時，長飛先進自主研發的DeepXE™嵌入式産品，擁有三大技術亮點：一是基於Cavity-Free AMB內嵌單元的創新PCB疊構方案；二是功率半導體晶片表面金屬化與關鍵介面先進互聯工藝；三是電熱磁力多物理場約束下的晶片排布與功率路徑3D構建。在先進的技術方案加持下，長飛先進DeepXE™嵌入式産品較傳統封裝形式，電流密度可提升20%、熱阻Rth降低15%，雜散電感降低75%至0.9nH；體積和重量同時降低50%，整體開關損耗降低20%，為車規主驅客戶直接提供了一套高功率密度、高性能嵌入式功率模組終端方案。

　　在AI數據中心領域，長飛先進發佈的PG4E單管系列為750V及1200V的産品，與當前國內外同類産品相比，具有高可靠、低損耗的特點，性能上也更適合於AIDC這種追求極致效率的應用場景。EZ2C/3C　SiC功率模組則為國內首個採用先進的擴散焊工藝的功率模組，相較傳統錫焊片工藝，EZ2C的節殼熱阻可降低18%，滿載時晶片節溫可降低25°C以上，同時EZ家族全係採用耐高溫材料體系，支持SiC　200°C以上的工作溫度，可充分釋放SiC的材料優勢。並且，EZ3C還創新集成了高效SHB三電平拓撲，極大地降低了SST的系統複雜度，有助於SST長期不間斷服役下的可靠性。

　　此外，在車規主驅及AI數據中心領域之外，長飛先進在本次技術發佈會上同步推出了覆蓋消費電子與工業應用的全系列産品，並重磅發佈了高性能溝槽技術平臺，全面展現了其在碳化矽領域的深厚積累與系統化佈局。

　　“碳化矽作為化合物半導體，在高壓、大電流的功率器件場景下，性能相比硅基器件優勢明顯。近幾年碳化矽器件成本下降速度很快，對硅基器件的替代也越快。”陳重國總結道。

　　從車規主驅到AI數據中心，從工業到消費、生活家電，長飛先進正以自研功率模組、晶片及單管等全矩陣産品，持續拓寬碳化矽技術的應用邊界。技術迭代不止，市場藍海可期。在新能源汽車與AI算力爆發的雙重浪潮下，長飛先進正加速駛入功率半導體的黃金賽道，以先進碳化矽技術賦能産業變革新時代。