長春光機所半導體鐳射器研究獲突破
長春日報9月4日訊（記者 胡曉瓊）：近日，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所佟存柱研究員團隊與中科院半導體所牛智川研究員團隊合作，提出了銻化物微脊寬區波導結構，有效抑制了載流子側向泄漏和累積，將1.96μm波長的銻化物鐳射器最高能量轉換效率由9.8%提高到30.5%，連續輸出功率超過了1.28W，側向光束品質改善了36%，閾值、溫度特性和電流對遠場的影響都得到明顯改善。
銻化物半導體鐳射可以實現1.8μm-4μm的中紅外波段鐳射輸出，具有體積小、效率高、電驅動直接發光等優點，是中紅外鐳射技術領域的前沿研究熱點，在紅外光電技術、化學氣體及危險品監測等領域具有重要應用前景，並可作為中紅外光纖鐳射器的種子源和同帶泵浦光源。然而，由於銻化物半導體材料較低的熱導率和高空穴遷移率導致的側向載流子泄漏，使得銻化物半導體鐳射器效率低、光束品質差、溫度穩定性差。該研究為高亮度銻化物半導體鐳射器的實現提供了一種可行的技術方案，獲得國家自然科學基金委重大項目“銻化物低維結構中紅外鐳射器基礎理論與關鍵技術”的資助。
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